2038路线图

波长一旦停住，问题就变成：下一个十年的晶体管密度还能从哪里来。半导体行业是集体作答的，答案出自imec——比利时鲁汶的一家研究机构，其参与方沿供应链铺开，台积电、英特尔、三星与ASML、LAM这样的设备商都在其中。它公布的路线图，是这个行业最接近共同计划的东西。

五条泳道

光源

走一步，然后持平。今天一次曝光分辨约13纳米；孔径从NA 0.33放宽到0.55后到约8纳米，并在此维持四个连续节点。最后一列对一片并不存在的0.75镜头留有余地。

堆叠

晶体管自我重做。纳米片让位给CFET，一个器件直接叠在它的互补器件之上；到最后一列，两片成品晶圆面对面键合。

供电

从晶圆正面移到背面。起初可选，晶体管开始堆叠之后成为必选——正面已经放不下信号和供电两套线路。

光刻胶

新化学体系随更宽的镜头进入：金属氧化物光刻胶。孔径更大意味着单位面积上的光子更少，化学必须把这一块补回来。

波长

13.5纳米，一条横贯整张图的直线。它始终不变。

这个形状意味着什么

把五条泳道对照着读，这张路线图对未来十年提出了一个主张：光只贡献一步，其余每一样都在持续贡献。从今天到2038年的大部分密度，预期来自器件架构、堆叠、供电走线和单元设计——而不是来自印得更细。

这是种类上的改变，不是程度上的。六十年里，印刷机器定节奏，工艺的其余部分跟着走。在这张图上，印刷机器十二年走一步，路线图由工艺的其余部分扛着。

这张图不是什么

它是路线图，不是排期表，也不是这个行业的实际行为。节点年份会移动；2026版把A14放在2028年前后，接触多晶硅间距在2030年的A10停在42纳米，CFET自2033年前后的A7起，A3在2038年。导入与采用是两个问题：尽管路线图在A14引入0.55镜头，据报道台积电已决定在其1.4纳米节点上不采用High-NA。

另外，三个不同的节点带着几乎相同的名字——imec路线图的A14、台积电的A14、英特尔的14A。这张图上的A14是imec的。